━ 頻率范圍:0.5 kHz - 4 MHz
━ 低電壓噪聲:0.6 nV/√Hz @ 1 MHz(單通道模式下)
━ 低電流噪聲:12 fA/√Hz @ 10 kHz
━ 放大倍數:250倍(可定制)
━ 緊湊型結構設計
━ 單 / 雙通道配置,配備SMA接口
下圖展示了設備的內部結構。該前置放大器由一或兩個獨立信號通路組成,采用共電源電壓供電。輸入級由預選的低噪聲場效應晶體管(FET)構成,后級接有放大電路和緩沖電路。獨立的反饋回路可確保偏置點良好平衡,即使在低溫冷卻操作條件下也能保持穩定。
雙通道版本內部采用對稱結構設計,支持以下輸入方式:
━ 單輸入端獨立信號輸入
━ 雙輸入端同步信號輸入(例如反相信號)
(1)電壓放大倍數-頻率特性曲線
測試條件:供電電壓:+12V/-3V,環境溫度:297 K,負載配置:高阻抗(1MΩ, 50pF)及50Ω負載
(2)電壓放大倍數-正電源電壓特性
測試條件:f = 100kHz,while VSS = -3V(固定值)
(3)正電源電流-正電源電壓特性曲線
測試條件:輸出空載,VSS=-2.5V(固定值)
(4)雙通道模式下的通道間串擾-頻率特性曲線
測試條件:上曲線:輸入端接 100pF vs. GND;下曲線:輸入端接 50Ω vs. GND
(5)室溫條件下電壓噪聲密度(雙通道模式)
測試條件:VSS = -2.5V。若使用標配電源(PR-E電源)或PRE-SMA版本,適用下部曲線
(6)室溫條件下電流噪聲密度(雙通道模式)
室溫條件下電流噪聲密度(雙通道系統中的單通道),測試條件:供電電壓±5V
(7)室溫條件下電壓噪聲密度(單通道模式)
室溫條件,不同正電源電壓下的電壓噪聲密度(雙通道版本,雙通道并聯工作)
測試條件:VSS = -2.5V。若使用標配電源(PR-E電源)或PRE-SMA版本,適用下部曲線。
(8)室溫條件下電流噪聲密度(單通道模式)
室溫條件下電流噪聲密度(雙通道并聯工作)
(1)精密實驗
━ Penning trap驅動電壓 - 用于BASE重子反重子對稱性實驗
━ 混合阱驅動 - 用于冷分子離子-中性粒子碰撞研究
━ 掃描探針顯微鏡驅動 - 用于氫鍵分子單層圖案化制備
(2)離子阱驅動與束流整形